ZXMN10B08E6TA
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Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA
| Artikelnummer: | ZXMN10B08E6TA |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments ZXMN10B08E6TA.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SOT-26 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 1.6A, 10V Verlustleistung (max) 1.1W (Ta) Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 497 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.6A (Ta) Grundproduktnummer ZXMN10 ZXMN10B08E6TA Einzelheiten PDF [English] ZXMN10B08E6TA PDF - EN.pdf -
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